Формируемая память типа HBM, известная своей высокой скоростью, вскоре может стать доступнее благодаря изменениям, которые планирует ввести стандартный орган JEDEC. Ожидается, что новые требования касательно высоты стека HBM4E позволят производителям упростить процесс создания этой памяти.
- JEDEC планирует увеличить максимальную высоту стека HBM4E до 900 мкм.
- Текущий стандарт HBM3E ограничен высотой 720 мкм, а HBM4 — 775 мкм.
- Увеличение высоты позволит разместить больше ярусов в одном стеке, что повысит ёмкость.
- Производители уже работают над 16-ярусными чипами HBM3E и HBM4.
- Снижение требований к производству может привести к уменьшению брака и затрат.
Преимущества смягчения стандартов
Снижение требований к высоте стека предоставляет ряд преимуществ для производителей. Во-первых, это позволит сохранить существующие технологии упаковки чипов, такие как термокомпрессионное формирование связей, что исключит необходимость в дорогостоящем новом оборудовании. Это не только поможет сэкономить средства, но и не станет преградой для увеличения объёмов производства.
Возможные риски и конкуренция на рынке
С другой стороны, смягчение стандартов может вызвать недовольство у крупных южнокорейских производителей, таких как Samsung и SK hynix, которые уже сейчас производят чипы, превышающие текущие требования JEDEC. Если стандарты станут менее строгими, это может облегчить вход на рынок для новых игроков, особенно из Китая.
| Тип памяти | Максимальная высота стека (мкм) |
|---|---|
| HBM3E | 720 |
| HBM4 | 775 |
| HBM4E | 900 (ожидается) |