Китайские исследователи представили новый настольный источник экстремального ультрафиолетового излучения (EUV), который позволяет делать важный шаг к самодостаточности страны в производстве микрочипов. Утверждается, что с помощью этой технологии можно создавать микросхемы с топологическим узлом 14 нанометров.
Хотя разрабатываемый источник не является полной заменой традиционным машинам голландской компании ASML, он предлагает надежную альтернативу для мелкосерийного производства чипов. Кроме того, новая технология может применяться для инспекции чипов, создания прототипов квантовых процессоров и выявления дефектов фотошаблонов. Таким образом, новинка может оказать значительное влияние на научные исследования и малосерийное производство.
Отмечается, что в отличие от машин ASML, использующих лазерно-индуцированную плазму, новый источник использует фемтосекундный лазер, направленный на газ аргон, генерируя EUV с помощью процесса, известного как генерация высоких гармоник. Это позволяет избежать необходимости в колоссальных зеркалах и оловянных каплях, упрощая устройство.
В то время как традиционные установки ASML требуют около 200 ватт для экспонирования, новый китайский источник потребляет всего лишь 1 микроватт на импульс. Хотя его применение в массовом производстве передовых чипов ограничено, он демонстрирует подходящую яркость для проверки фотошаблонов и научных исследований.
С точки зрения размеров и стоимости, новая разработка компактнее и значительно дешевле стандартных машин ASML. Для Китая это важно, так как страна сталкивается с трудностями при закупках современного оборудования. Создание нового источника EUV является важным достижением для китайской индустрии. Многие эксперты говорят, что при должном масштабировании она может существенно улучшить качество изделий на узлах 14 и 28 нанометров, способствуя планам Китая снизить зависимость от западных технологий.